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三星2015年内量产48层V NAND 着手研发64层产品
目前,三星已完成研发48层V NAND(闪存的一种),被业界看作是存储器芯片的分水岭。三星电子为与其他尚无法生产V NAND的竞争者将技术差距拉大到2年以上,并在次世代存储器芯片市场上维持独大地位,将原本计划在2016年才投入量产堆叠48层Cell的3D垂直结构NAND Flash(闪存)提前到2015年,并着手研发后续产品64层结构V NAND。而SK海力士、英特尔和美光的合资公司IM Flash以2015年初投入量产为目标,对客户公开24层结构V NAND样品,东芝预计会在2015年下半推出24层V NAND。
分享到:0  时间:2015-01-26 来源:灵核网整理(www.ldhxcn.com) 

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